电气与电子工程师协会（IEEE）将买卖化薄膜霍尔元件技艺认定为IEEE里程碑。旭化成微电子（AKM）声称，其自1983年起开展的薄膜霍尔元件买卖化技艺已获电气与电子工程师协会（IEEE）认定，荣膺IEEE里程碑这一盛誉。

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IEEE里程碑谋划意在犒赏那些代表电气与电子工程范畴冲突性窜改的历史性建树。要获此荣誉，相关技艺的发展流程需至少朝上25年，况兼该建树必须对社会和行业有着要紧孝敬。

AKM于1983年推出的HW系列居品，号称欺诈薄膜霍尔元件的磁传感器得胜竣事大限度量产的垂危里程碑，为该技艺的演进以及在消耗电子范畴的经常普及筑牢了根基。

早期的薄膜霍尔元件存在贤人度欠佳、可靠性严重不及的问题，尤其是在热踏实性方面阐发欠安。有鉴于此，抢庄牛牛app下载AKM在两块铁氧体之间置入一层窄带隙化合物半导体锑化铟（InSb）的薄膜层，以此衔尾磁通量，显赫普及检测贤人度。随后，AKM摄取了一种三层电极结构，竣事了金丝键合，大幅增强了热踏实性以及大限度坐褥所必需的耐用性。

这些窜改举措鼓励了此类器件的全面产业化。末端当今，基于此项技艺的霍尔传感器居品在各人的出货量已逾500亿颗。

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